華東光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料
光刻膠的曝光機(jī)理很復(fù)雜,。Ober課題組和Giannelis課題組指出，其中起主導(dǎo)作用的應(yīng)為配體交換過(guò)程,。若體系內(nèi)有光致產(chǎn)酸劑或光自由基引發(fā)劑,，它們?cè)谑艿焦庹蘸笮纬尚碌呐潴w，與金屬納米顆粒表面的配體交換,；若不加入光敏劑,，光照后納米顆粒殼層的少量羧酸基團(tuán)會(huì)與納米顆粒解離,，從而改變金屬氧化物電荷，使雙電層變寬,，促使納米顆粒的聚集,。但美國(guó)德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分校的Mattson等通過(guò)原位紅外光譜、X射線光電子能譜和密度泛函計(jì)算等手段發(fā)現(xiàn),，溶解度轉(zhuǎn)變過(guò)程主要是由于配體發(fā)生了自由基引發(fā)的不飽和碳-碳雙鍵交聯(lián)反應(yīng)導(dǎo)致的,。此類光刻膠的反應(yīng)機(jī)理還有待進(jìn)一步研究。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。華東光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料
2008年起,，日本大阪府立大學(xué)的Okamura課題組利用聚對(duì)羥基苯乙烯衍生物來(lái)構(gòu)造非化學(xué)放大型光刻膠。他們制備了對(duì)羥基苯乙烯單元和含有光敏基團(tuán)的對(duì)磺酰胺苯乙烯單元的共聚物,，作為光刻膠的主體材料,。光照下，光敏劑產(chǎn)生自由基,，使對(duì)羥基苯乙烯鏈之間發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),，可作為EUV負(fù)性光刻膠使用。隨后,，他們又在對(duì)羥基苯乙烯高分子上修飾烯烴或炔烴基團(tuán),，體系中加入多巰基化合物作為交聯(lián)劑，以及光照下可以產(chǎn)生自由基的引發(fā)劑,，構(gòu)建了光引發(fā)硫醇-烯烴加成反應(yīng)體系,，該體系同樣可以作為EUV負(fù)性光刻膠使用。值得指出的是,，上述工作使用的對(duì)羥基苯乙烯衍生物的分子量均比較小,，有助于提高光刻膠的分辨率。由于均為自由基反應(yīng),，光刻過(guò)程的產(chǎn)氣量也明顯小于一般的光刻膠體系,。蘇州KrF光刻膠單體產(chǎn)品純度、金屬離子雜質(zhì)控制等也是光刻膠生產(chǎn)工藝中需面臨的技術(shù)難關(guān),，光刻膠純度不足會(huì)導(dǎo)致芯片良率下降,。
KrF光刻時(shí)期，與ESCAP同期發(fā)展起來(lái)的還有具有低活化能的酸致脫保護(hù)基團(tuán)的光刻膠,，業(yè)界通稱低活化能膠或低溫膠,。與ESCAP相比，低活化能膠無(wú)需高溫后烘,，曝光能量寬裕度較高,，起初由日本的和光公司和信越公司開(kāi)發(fā)，1993年,，IBM公司的Lee等也研發(fā)了相同機(jī)理的光刻膠KRS系列,，商品化版本由日本的JSR公司生產(chǎn),。其結(jié)構(gòu)通常為縮醛基團(tuán)部分保護(hù)的對(duì)羥基苯乙烯，反應(yīng)機(jī)理如圖12所示,。2004年,，IBM公司的Wallraff等利用電子束光刻比較了KRS光刻膠和ESCAP在50nm線寬以下的光刻性能，預(yù)示了其在EUV光刻中應(yīng)用的可能性,。
靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要 ,。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光，正膠較慢,，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍 ,。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的,。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹(shù)脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu),，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹(shù)脂主體,。同時(shí)，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間,，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來(lái)越高,。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo)，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高,。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 ,。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對(duì)比度曲線上。光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料,，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介,。
盡管HSQ可以實(shí)現(xiàn)較好的EUV光刻圖案，且具有較高的抗刻蝕性能,，但HSQ較低的靈敏度無(wú)法滿足EUV光刻的需求,，且價(jià)格非常昂貴，難以用于商用的EUV光刻工藝中,。另外,，盡管HSQ中Si含量很高，但由于O含量也很高,，所以HSQ并未展現(xiàn)含Si光刻膠對(duì)EUV光透光性的優(yōu)勢(shì),，未能呈現(xiàn)較高的對(duì)比度。因此,，研發(fā)人員將目光轉(zhuǎn)向側(cè)基修飾的高分子光刻膠,。使用含硅、含硼單元代替高分子光刻膠原本的功能性含氧側(cè)基,，既可有效降低光刻膠對(duì)EUV光的吸收,，又有助于提高對(duì)比度，也可提高抗刻蝕性,。光刻膠達(dá)到下游客戶要求的技術(shù)指標(biāo)后,，還需要進(jìn)行較長(zhǎng)時(shí)間驗(yàn)證測(cè)試（1-3 年）。普陀KrF光刻膠
光刻膠下游為印刷電路板,、顯示面板和電子芯片,，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域,。華東光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料
無(wú)論是高分子型光刻膠,，還是單分子樹(shù)脂型光刻膠，都難以解決EUV光吸收和抗刻蝕性兩大難題,。光刻膠對(duì)EUV吸收能力的要求曾隨著EUV光刻技術(shù)的進(jìn)展而發(fā)生改變,，而由于EUV光的吸收只與原子有關(guān)，因而無(wú)論是要透過(guò)性更好,，還是要吸收更強(qiáng),，只通過(guò)純有機(jī)物的分子設(shè)計(jì)是不夠的。若想降低吸收,，則需引入低吸收原子,；若想提高吸收，則需引入高吸收原子,。此外,，由于EUV光刻膠膜越來(lái)越薄，對(duì)光刻膠的抗刻蝕能力要求也越來(lái)越高,，而無(wú)機(jī)原子的引入可以增強(qiáng)光刻膠的抗刻蝕能力,。于是針對(duì)EUV光刻，研發(fā)人員設(shè)計(jì)并制備了一大批有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化型光刻膠,。這類光刻膠既保留了高分子及單分子樹(shù)脂光刻膠的設(shè)計(jì)靈活性和較好的成膜性,，又可以調(diào)節(jié)光刻膠的EUV吸收能力，增強(qiáng)抗刻蝕性,。華東光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料
本文來(lái)自天津市津南區(qū)同源機(jī)械設(shè)備租賃中心：http://jiajiaxiang.cn/Article/59c18499756.html
德清建筑生產(chǎn)管理系統(tǒng)MES系統(tǒng)
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